利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（即FRD）的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。
在此大背景下，元存推出了一系列產(chǎn)品，通過AIoT將傳統(tǒng)的生產(chǎn)模式轉(zhuǎn)化為智能化、定制化和服務化的生產(chǎn)方式；整合現(xiàn)有生產(chǎn)資源、銷售渠道和大數(shù)據(jù)，搭建能快速滿足市場需求、減少成本浪費的新型制造產(chǎn)業(yè)，從而實現(xiàn)全面自動化智能生產(chǎn)的目標。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是總線電壓幾百至上千伏的應用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導通特性，同時擁有與MOSFET十分相的柵極結(jié)構(gòu)，能實現(xiàn)輕松控制。
標簽：
IGBT
入網(wǎng)時間：2022-04-08
制作一顆硅晶圓需要的半導體設備大致有十個，它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺、化學機械拋光機、光刻機、離子注入機、引線鍵合機、晶圓劃片機、晶圓減薄機。
IGBT作為功率器件，在逆變器中承擔著功率變換和能量傳輸?shù)淖饔?，是逆變器的心臟。同時，IGBT又是逆變器中最不可靠的元器件之一，對器件的溫度和電流非常敏感，稍有超標便會炸機且不可修復。