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應(yīng)用設(shè)計(jì)

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領(lǐng)導(dǎo)等離子的革新

領(lǐng)導(dǎo)等離子的革新

2007/9/3 14:35:00
印制電路板   March 等離子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和制造的PCB等離子體處理系統(tǒng)能夠明顯的降低用戶的成本。系統(tǒng)的配置適應(yīng)多種板材的可重復(fù)性生產(chǎn)包括板材的大小尺寸以及高低端的要求。多任務(wù)處理,包括多種板材和標(biāo)準(zhǔn)板材。   由于電訊產(chǎn)業(yè),軍事,航空和商業(yè)市場(chǎng)的不斷推進(jìn)和進(jìn)一步提高要求,電路也日益的復(fù)雜。高密度的I/O和高速度要求以及更高密度互聯(lián),導(dǎo)致高密度多層板的產(chǎn)生。有8層到64層或是更多層板,這些高端板在設(shè)計(jì)中就要求高密度和高抗干擾能力。在嵌板和去除雜質(zhì)等方面?zhèn)鹘y(tǒng)的制作工藝已經(jīng)有一定的局限性。 高端板提出些新的要求,使用新材料工藝,玻璃軟化溫度和低膨脹因素。這些材料的熱膨脹系數(shù)和流速等參數(shù)解決的難點(diǎn)在于鉆孔和蝕刻這兩步。   使用射頻和低真空的等離子體系統(tǒng)能直接有效的降低成本,提供表表面活化和去除孔內(nèi)雜質(zhì)的的友好環(huán)境。我們的全體工程師和專(zhuān)家可以幫助您在生產(chǎn)可靠性與成本之間來(lái)開(kāi)發(fā)具體的等離子體加工工藝。
應(yīng)用于PCB   等離子體技術(shù)與化學(xué)或是機(jī)械的處理相比可以表現(xiàn)很高均勻性和可重復(fù)性。是種很經(jīng)濟(jì)很環(huán)保的技術(shù)。等離子體的處理能增大了高端板材料表面的活性,包括特弗倫材料;與化學(xué)的濕性處理相比能極好的提高板材的層壓和通孔在電鍍時(shí)的親水性。同時(shí)也可以去除樹(shù)脂材料在鉆孔時(shí)所產(chǎn)生的雜質(zhì)和去除盲孔中的碳灰,也允許內(nèi)層板的硬化。
蝕刻與除膠渣   對(duì)于多層印制電路板的機(jī)械鉆孔都會(huì)在孔壁上留有樹(shù)脂殘?jiān)瑥亩柚沽藢?dǎo)電金屬的硬化。在鉆孔后,內(nèi)層樹(shù)脂的移除對(duì)電路的連接與導(dǎo)通是十分必要的。對(duì)于現(xiàn)今的多層板在蝕刻和除膠渣的傳統(tǒng)方法已經(jīng)不適應(yīng)了?;瘜W(xué)清洗的方法就沒(méi)有辦法侵入一些毛細(xì)孔中。相比較而言,等離子體就能有效地去除,環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、高聚混合物、混合材料和其他標(biāo)準(zhǔn)樹(shù)脂等材料的板材。 特氟綸活化   表面活化主要指特氟綸的雙面活化并且多層特氟綸通孔板必須要增加其表面的親水性?;瘜W(xué)方法是不能改善特氟綸材質(zhì)以及一些混合樹(shù)脂板材的表面特性。然而,等離子體只用一個(gè)工序就可以改善特氟綸表面性質(zhì)和除去膠渣,能有力的改善孔壁和提高金屬銅的硬化效果。
去除碳灰   激光成孔通常在產(chǎn)品上會(huì)產(chǎn)生碳灰,阻礙了電鍍層的粘結(jié)。在制作通孔時(shí),碳灰中混合著環(huán)氧樹(shù)脂或是聚酰亞胺變得不易捕捉;在鍍銅之前必須要清除這類(lèi)碳灰。等離子體清洗不受空間的限制能充分的清除掉在制作通孔板和盲孔板所帶來(lái)的碳灰。
內(nèi)層板處理   封面涂層板中存在一些不支持原料的彎曲和聚酰亞胺表面親水性較差難以碾壓得問(wèn)題。等離子體能夠改變內(nèi)層材料表面形態(tài)以及親水性從而提升內(nèi)部薄層的粘連性?;瘜W(xué)處理方法中多數(shù)化學(xué)藥品不能有效地控制一些內(nèi)部材料的移除,同時(shí)不支持聚酰亞胺材料的活性 。 清除殘?jiān)ㄇ宄≡?  在生產(chǎn)出一些精密電路板之后仍然存在一些很難清除的殘?jiān)?。如果這些殘?jiān)谖g刻之前不能被清除的話,就會(huì)造成電路板的短路。等離子體能夠有效地從板材內(nèi)層清除這類(lèi)殘?jiān)粫?huì)損壞電路封面的圖案。同樣也可以移除焊接所產(chǎn)生的焊渣從而更好的保證了焊接的連接性能。
編譯:楊君 March 等離子體系統(tǒng) 12000 28th 諾斯街 St. 彼得斯堡, FL 33716 電話: (727) 573-4567 傳真: (727) 573-0333 eMail: info@marchplasma.com

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