在“雙碳”戰(zhàn)略目標驅(qū)動下，功率半導體正成為高能效家電與新能源汽車發(fā)展的核心引擎。2025年9月，三菱電機將攜最新一代功率半導體產(chǎn)品亮相 PCIM Asia 2025（上海），全面展示其在SiC MOSFET、IGBT等前沿器件上的創(chuàng)新成果，并于 9月24日舉辦三菱電機半導體媒體見面會，與行業(yè)共同探討功率半導體技術(shù)如何助力綠色未來。

本屆PCIM展會上，三菱電機將重點展出三大明星產(chǎn)品：

面向大容量家電的SiC SLIMDIP? 功率半導體模塊

作為三菱電機首款面向家電應用的SiC SLIMDIP?模塊，該系列包括 全SiC DIPIPM?與混合SiC DIPIPM? 兩類創(chuàng)新設(shè)計：

作為三菱電機首款面向家電應用的SiC SLIMDIP?模塊，該系列包括 全SiC DIPIPM?與混合SiC DIPIPM? 兩類創(chuàng)新設(shè)計：

-  全SiC SLIMDIP?
內(nèi)置專為SLIMDIP?封裝優(yōu)化的SiC-MOSFET芯片，能夠在家電應用中顯著提升輸出功率與能效。該方案有效降低功率損耗，為空調(diào)等家電提供高效解決方案。

- 混合SiC SLIMDIP?
通過同一IC驅(qū)動并聯(lián)的SiC MOSFET（低電流下具備低導通電壓特性）和Si RC-IGBT（高電流下保持優(yōu)異導通特性），實現(xiàn)低功率損耗與穩(wěn)定性能兼顧。
這一創(chuàng)新架構(gòu)，使家電廠商在追求節(jié)能的同時，也能保持高可靠性與成本競爭力。

該系列產(chǎn)品為家電節(jié)能升級注入全新動力，進一步推動家庭用能與社會能源的綠色轉(zhuǎn)型。

第8代IGBT 模塊

三菱電機全新推出的第8代IGBT模塊，重點突破在于更高功率密度、更低損耗、更優(yōu)散熱：

-  技術(shù)創(chuàng)新

  采用分段式溝槽柵結(jié)構(gòu)，降低導通損耗；

  芯片背面等離子體層結(jié)構(gòu)減少厚度，進一步優(yōu)化開關(guān)特性；

  擴大芯片面積，有效降低結(jié)殼熱阻。

-  性能提升

  第8代LV100封裝產(chǎn)品：由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A；

  第8代NX封裝規(guī)劃開發(fā)5款不同規(guī)格產(chǎn)品，包括 1000A/1200V半橋、800~1000A/1200V Split-NPC（半橋+鉗位二極管） 等。

憑借更強的電流承載力與熱管理能力，第8代IGBT模塊可充分適配高功率場景下的性能需求，將廣泛應用于新能源發(fā)電、軌道交通、工業(yè)電機驅(qū)動等高功率場景，為用戶提供更高效可靠的解決方案。

面向電動汽車的 J3 系列 SiC-MOSFET 功率半導體模塊

隨著電動汽車對高功率密度與高可靠性需求的提升，三菱電機重磅推出 J3系列SiC-MOSFET功率半導體模塊，包括：

- J3-T-PM半橋模塊

  采用緊湊的第3代T-PM封裝，具備高散熱能力與低熱阻特性；

  內(nèi)置高可靠性SiC-MOSFET芯片，獨特溝槽柵設(shè)計可抑制Vth漂移與損耗退化；

  適配逆變器小型化需求，并可多模塊并聯(lián)，擴展功率范圍。

-  J3-HEXA 全橋模塊

   可覆蓋電動車不同容量等級的逆變器應用；

   支持高功率電驅(qū)系統(tǒng)，滿足電動車高速運行下電驅(qū)系統(tǒng)的穩(wěn)定性需求。

-  J3繼電器模塊

  基于J3-T-PM緊湊型封裝和溝槽柵SiC MOSFET的超低損耗，專為電池斷路單元及切換/斷開回路設(shè)計；

  提供雙向與單向開關(guān)兩種結(jié)構(gòu)，內(nèi)置快速短路保護，實現(xiàn)電動車電控系統(tǒng)的高安全性。

J3系列憑借高能量密度與高擴展性，為新能源汽車的輕量化、小型化與高性能提供堅實支撐。

媒體見面會預告

主題：創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來
時間：2025年9月24日14:00
地點：上海卓美亞喜瑪拉雅酒店

屆時，三菱電機將攜研發(fā)專家及行業(yè)合作伙伴，共同分享三菱電機功率半導體的最新成果、功率半導體技術(shù)的未來趨勢與應用展望。

報名通道：
（請?zhí)崆巴瓿蓤竺挥邢?，先到先得?/p>

三菱電機期待與您在PCIM Asia 2025相遇，共同見證功率半導體的最新突破！